材料

III-V族射频外延片

在制造高速电子元件时,选用我们品质稳定、性能卓越的III-V族外延晶圆,可有效提升生产效率、带宽及可靠性。

高意 在先进III-VI族半导体外延晶片的开发、设计和制造方面高意 全面的能力。我们助您轻松将下一代技术应用于您的产品,并支持 量产支持 。

射频晶圆加工能力

为无线设备、数据中心、高速通信网络等领域提供2英寸至6英寸的晶圆。

设备类型

基材

材料性能

晶圆直径

EpiHBT®

砷化镓

InGaP/GaAs,AlGaAs/GaAs

最大150毫米

InP

砷化铟/砷化镓铟

最大100毫米

EpiBiFET®

砷化镓

InGaP/GaAs,AlGaAs/GaAs

最大150毫米

InP

磷化铟/砷化镓铟,磷化铟/砷化镓铝铟

最大100毫米

EpiFET®

砷化镓

砷化镓/砷化镓,磷化铟/砷化镓

最大150毫米

InP

磷化铟/砷化镓铟,磷化铟/砷化镓铝铟

最大100毫米