材料

III-V族射频外延晶圆

通过采用我们稳定可靠的高性能III-V族外延晶圆,提升电子高速元件制造的效率、产能与可靠性。

Coherent verfügt über umfangreiche Kapazitäten für die Entwicklung, das Design und die Herstellung von fortschrittlichen III-VI-Halbleiter-Epitaxiewafern. Wir ermöglichen Ihnen die einfache Integration von Technologien der nächsten Generation in Ihre Anwendung und unterstützen Sie bei der Serienproduktion.

RF晶圆 – 能力

提供适用于无线设备、数据中心、高速通信网络等领域的2英寸至6英寸晶圆。

设备类型

基础材料

材料加工性

晶圆直径

EpiHBT®

砷化镓

InGaP/GaAs,AlGaAs/GaAs

最多150毫米

InP

砷化铟/砷化镓铟

高达100毫米

EpiBiFET®

砷化镓

InGaP/GaAs,AlGaAs/GaAs

最多150毫米

InP

磷化铟/砷化镓铟,磷化铟/砷化镓铝铟

高达100毫米

EpiFET®

砷化镓

砷化镓/砷化镓,磷化铟/砷化镓

最多150毫米

InP

磷化铟/砷化镓铟,磷化铟/砷化镓铝铟

高达100毫米