SiC衬底和外延片

SiC 外延

SiC 外延

借助高意 提供的直径高意 200毫米的高性能碳化硅外延晶圆高意 可加速产品上市时间、降低成本并提升器件性能。

高意 全面的碳化硅（SiC）材料解决方案，涵盖带缓冲层或不带缓冲层的厚外延层、低掺杂层、多层结构、p-n结、嵌入式/埋入式结构及联系 等多种选项。我们支持 到量产支持 。

SiC Epitaxy Capabilities Highlights

数据手册

最先进的SiC 外延

  • 凭借高效的缓冲层技术，缺陷密度降至历史最低水平

  • 防止晶体生长初期晶体缺陷的成核 

  • BPD 至 TED 的转换率 >99.8% → 每平方厘米1 BPD

  • 支持双极型碳化硅器件技术

 

Best-in-class layer homogeneity

  • 可调节的横向气流 

  • 使用TCS作为硅前驱体，实现40 µm/h的高生长速率 

  • 150 µm及以上厚膜生长 

  • 低掺杂浓度：1×10¹⁴/cm³

  • 支持 >15 kV 碳化硅器件技术

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