SiC衬底和外延片

用于射频电子的 SiC

用于射频电子的 SiC

借助我们高品质的半绝缘碳化硅（SiC）衬底，扩大GaN-on-SiC射频功率放大器 射频和微波器件的生产规模。

高意 开发大直径半绝缘碳化硅（SiC）衬底方面高意 领先地位，并提供高电阻率材料，从而能够制造出具有低功耗、高频运行和良好热稳定性的器件。

碳化硅半绝缘材料的性能

高意 提升材料质量并增大基板直径，以帮助客户提升器件性能并降低成本。

数据手册

碳化硅半绝缘材料的性能

物理特征

结构

六方晶系，单晶

直径

最大 200 毫米

年级

主承包、开发、机械

热学性能

导热率

室温下为 370 (W/mK)

热膨胀系数

4.5 × 10⁻⁶/K

比热（25°C）

0.71 (J/g·°C)

高意 衬底的其他关键性能（典型值）

参数

半绝缘

多态

6H

掺杂剂

钒

电阻率

> 1019 欧姆·厘米

定向

轴向

表面粗糙度，Ra

<5Å

位错密度

< 10,000 cm-2

微管密度

< 10cm-2

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