碳化硅基板与外延技术
碳化硅外延
通过在直径不超过200毫米的Coherent公司制造的高性能碳化硅外延晶圆上进行构建，可缩短产品上市时间、降低成本并提升器件性能。
Coherentは、バッファー付きまたはバッファーなしの厚膜エピレイヤー、低ドープ層、多層構造、pn接合、はめ込み/埋め込み構造、コンタクト層のオプションにより、総合的なSiC材料ソリューションを提供します。研究開発から量産までサポートします。
SiCエピタキシー機能のハイライト
最先端のSiCエピタキシー技術
効率的なバッファ層技術による記録的な低欠陥密度
成長開始時の結晶欠陥の核形成を防止
BPDからTEDへの変換率 > 99.8% → 1 BPD/cm2
バイポーラSiCデバイス技術を実現
LPE PE106によるクラス最高の層均一性
調整可能な横方向のガス流
シリコン前駆体としてTCSを使用した、40 µm/hの高い成長速度
150 μm以上の厚膜成長
1×1014/cm3の低ドーピング濃度
15 kV超のSiCデバイス技術を実現
