SiC衬底和外延片

用于电力电子的 SiC

用于电力电子的 SiC

制造用于电动和混合动力汽车以及航空航天应用的高温、高频功率电子器件中的MOSFET、IGBT及其他组件。

我们的导电碳化硅（SiC）衬底兼具低电阻率、低缺陷密度、高均匀性、优异的晶体质量以及高导热率 低功耗、高频运行且热稳定性良好的器件。

n型碳化硅材料的性质

高意 提升材料质量并增大基板直径，以帮助客户提升器件性能并降低成本。

数据手册

n型碳化硅材料的性质

物理特征

结构

六方晶系，单晶

直径

最大 200 毫米

年级

主承包、开发、机械

热学性能

导热率

室温下为 370 (W/mK)

热膨胀系数

4.5 × 10⁻⁶/K

比热（25°C）

0.71 (J/g·°C)

高意 衬底的其他关键性能（典型值）

参数

N型

多态

4H

掺杂剂

氮

电阻率

> 1019 欧姆·厘米

定向

偏轴4°

表面粗糙度，Ra

<5Å

位错密度

约3,000 cm⁻²

微管密度

< 10cm-2

相关产品