基于SiC的衬底与外延技术
碳化硅在电力电子领域的应用
生产用于高温和高频电力电子领域的MOSFET、IGBT及其他器件，主要应用于电动汽车、混合动力汽车以及航空航天领域。
Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften
Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften |
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Physikalische Eigenschaften |
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Struktur |
Sechseckig, Einkristall |
直径 |
Bis zu 200 mm |
Grade |
Prime, Entwicklung, Mechanik |
Thermische Eigenschaften |
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Wärmeleitfähigkeit |
370 (W/mK) bei Raumtemperatur |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
4,5 x 10-6/K |
Spezifische Wärme (25 °C) |
0,71 (J/g°C) |
Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte) |
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参数 |
N-Typ |
Polytyp |
4H |
Dotierstoff |
Stickstoff |
Widerstand |
> 1019 欧姆·厘米 |
定位 |
4° außeraxial |
Rauhigkeit, Ra |
< 5 Å |
Versetzungsdichte |
~3.000 cm-2 |
Mikrorohrdichte |
< 10 cm-2 |
