碳化硅衬底及外延生长
用于射频电子设备的碳化硅
당사의 고품질 반절연 SiC 기판으로 GaN-on-SiC RF 전력 증폭기와 기타 RF 및 마이크로파 소자의 생산을 확대하십시오.
Coherent는 대직경 반절연 SiC 기판의 개발을 선도하였으며 낮은 전력 손실, 고주파 작동 및 우수한 열 안정성을 갖춘 구성 부품의 제조가 가능하도록 비저항이 높은 재료를 제공합니다.
반절연 실리콘 카바이드 재료의 특성
Coherent는 고객사가 장치의 성능을 높이고 비용을 절감할 수 있도록 소재의 품질을 지속적으로 개선하고 기판의 직경을 늘리고 있습니다.
반절연 실리콘 카바이드 재료의 특성 |
|
物理特性 |
|
구조 |
육각형, 단결정 |
직경 |
최대 200mm |
등급 |
프라임(Prime), 개발(Development), 기계적(Mechanical) |
热学特性 |
|
열전도율 |
실온에서 370(W/mK) |
열팽창 계수 |
4.5 × 10⁻⁶/K |
비열(25°C) |
0.71(J/g°C) |
Coherent SiC 기판의 기타 주요 속성(일반적인 값) |
|
매개변수 |
반절연 |
폴리타입 |
6H |
도펀트 |
바나듐 |
비저항 |
> 1019Ohm -cm |
방향 |
축방향 |
거칠기, Ra |
<5Å |
전위 밀도 |
< 10,000cm-2 |
마이크로파이프 밀도 |
< 10cm-2 |
