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高功率 100 mW DFB 激光二极管芯片

1300 nm 100 mW 连续波 CWDM4 DFB 激光二极管芯片

在无冷却状态下可提供 100 mW 输出功率，冷却后可达 300 mW，从而分别支持每通道 100 Gbps 和 200 Gbps 的传输速率，适用于尖端性能 收发器。

这些芯片提供四种波长带，可满足非制冷型 DR4 和 DR8 收发器中粗分复用（CWDM）的波长要求。它们具有高可靠性，并已通过 GR-468 认证，可用于非密封封装。

高功率 100mW 激光二极管芯片

请使用带防滑环（直径 150 毫米）的半透明胶带对这些芯片进行测试和检查。这项面向未来的技术能够支持 高达 1.6T收发器 支持 硅收发器 。

数据手册

主要特性

  • 专为无冷却O波段CWDM4设计

  • 符合 GR-468 标准，适用于非密封封装

  • 卓越的可靠性

  • 顶部阳极与背面阴极配置

  • 符合RoHS指令

  • 可用波长 - CWDM4 1270 nm 至 1330 nm

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