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高功率100 mW DFB激光二极管芯片

1300 nm 100 mW 连续波 CWDM4 DFB 激光二极管芯片

未冷却时的输出功率为100 mW，冷却时的输出功率为300 mW，在最先进的O波段收发器中，每条通道分别可达到100 Gbps和200 Gbps。

これらのチップは、非冷却型DR4およびDR8トランシーバーの粗波長分割多重化（CWDM）波長要件に適合するように、4つの波長帯域で利用できます。高い信頼性を特徴とし、非密閉型パッケージ用としてGR-468規格に適合しています。

高出力100 mWレーザダイオードチップ

これらのチップは、Ø150 mmのグリップリング付き半透明テープで試験および検査されます。1.6Tまでの高度なシリコントランシーバー設計をサポートできる将来性のある技術です。

数据表

主要功能

  • 非冷却式OバンドCWDM4用に設計

  • 非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠

  • 優れた信頼性

  • 上部アノードと裏面カソードの構成

  • RoHS適合

  • 使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm

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