网络技术
高性能 100 mW DFB 激光二极管芯片
在无散热条件下可提供 100 mW 输出功率，在散热条件下可提供 300 mW 输出功率，收发器 最先进的收发器 每通道 100 Gbit/s 或 200 Gbit/s收发器 。
Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.
Leistungsstarke Laserdiodenchips mit 100 mW
Testen und inspizieren Sie diese Chips auf durchsichtigem Klebeband mit Greifring Ø 150 mm. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützt.
主要特点
Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit
Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration
Entspricht RoHS
Verfügbare Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm
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