网络

100 Gbps 和 200 Gbps EML

28/56 GBd 非制冷前置放大器 EML 芯片

光学收发器 56 GBd 和 112 GBd PAM4 调制的光学收发器发射器器件。

我们的高速EML芯片为高速数据通信提供了卓越的带宽和光信号质量。这些高性能、高可靠性的器件专为经济高效的非密封封装而设计并经过认证。

选择加入是的！我想通过电子邮件接收高意新闻促销信息。

必填字段

EML 芯片

这些高性能发射器适用于100G至3.2T的数据通信链路。基于久经考验的InP技术，采用面向未来的设计。

主要特性

可选方案：112 Gb/s（56 GBd PAM4调制）或 224 Gb/s（112 GBd PAM4调制）
可用波长：CWDM
适用于经济实惠的非密封封装
工作温度 50-60 °C
集成射频终端电阻可确保卓越的信号完整性

相关产品

1300 nm 28 Gbps NRZ 和 56 Gbps PAM4 CWDM4 DFB 激光二极管芯片

100 Gbps PAM4 DFB 激光二极管芯片

这些 13XX nm 激光二极管芯片适用于基于 NRZ 或 PAM4（四电平）调制的高速非制冷收发器，并支持所有四个 O 波段 CWDM 波长。

28 Gbps 前向耦合激光二极管芯片/1300 nm 28 Gbps 非归零码（NRZ）差分前向耦合（DFB）激光二极管芯片

28 Gbps DFB激光二极管芯片

使用这些法布里-珀罗（FP）和分布反馈（DFB）激光二极管芯片，可构建光学收发器需要几毫瓦13XX激光输出组件。

1300 nm 100 mW 连续波 CWDM4 DFB 激光二极管芯片

高功率 100 mW DFB 激光二极管芯片

在无冷却状态下可提供 100 mW 输出功率，冷却后可达 300 mW，从而分别支持每通道 100 Gbps 和 200 Gbps 的传输速率，适用于尖端性能收发器。

边缘发光自密封监测二极管（EMPD）芯片

边缘发光监测光电二极管（EMPD）芯片

这些自密封器件适用于1270-1620 nm波长范围内的任何位置进行通道监测，其在1310 nm波长处的典型响应度为0.8 A/W。

精选博客

人工智能创新数据通信创新

高意如何为新一代数据中心的人工智能和机器学习创新高意创新动力。

更多精选资源

助力数据驱动世界的解耦网络

数据通信加速发展