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边缘发光监测光电二极管（EMPD）芯片
这些自密封器件适用于1270-1620 nm波长范围内的任何位置进行通道监测，其在1310 nm波长处的典型响应度为0.8 A/W。
这些紧凑型边缘发光 InGaAs 监测光电二极管芯片具有 210 μm × 210 μm 的标称有效面积，工作温度范围为 -40 °C 至 90 °C。这使其更容易集成到收发器、应答器及其他设备中。
边缘发光显示器光电二极管（EMPD）芯片
使用这些符合 GR-468 标准的非密封封装芯片，可制造出通信组件 高可靠性、极低暗电流的高性能通信组件 。
主要特性
大有效面积——标称尺寸为 210 μm × 210 μm
工作温度 -40 °C 至 90 °C
符合 GR-468 标准，适用于非密封封装
极低的暗电流，且可靠性极高
在1270-1620nm波长范围内具有响应，在1310nm波长处的典型响应度为0.8 A/W
符合RoHS指令
