材料

反应烧结碳化硅

您可以订购几乎任何尺寸和形状的RB-SiC组件,这些组件可根据需求进行定制,包括高平整度、大渗入深度和内部冷却通道。

RB-SiC 具备独特的物理特性组合——耐高温、低热膨胀系数、化学惰性、高强度以及优异的强度重量比——适用于高压电子、半导体设备制造及其他领域的应用。

反应结合型碳化硅——性能

您可以从一系列经过优化、具备不同机械、热学和电学特性的 RB-SiC 衬底材料中进行选择。

属性

SSC-702

SSC-802

SSC-902

SSC-HTC

SSC-FG

(细晶粒SiSiC)

HSC-702

(硅/碳化硅+铝)

TSC-15

(硅/碳化硅 + 钛)

RBBC-751

(B4C/SiC/Si)

西卡姆700

SiCAM 800

碳化硅含量(体积百分比)

70

80

90

78

70

70

80

70B4C

10SiC

70

80

硅含量(体积百分比)

30

20

10

22

30

30

20

20

30

20

堆积密度 (g/cm³)

2.95

3.00

3.12

3.02

2.94

3.01

3.13

2.56

2.95

3.00

杨氏模量 (GPa) [E]

350

380

410

373

330

330

390

400

345

365

曲率收缩系数

0.18

0.18

0.18

0.2

0.18

0.19

0.19

0.18

0.185

0.185

抗弯强度(MPa)

270

280

280

265

350

275

225

280

280

290

断裂韧性 (MPa·m¹/²)

4

4

4

3.5

4

5

5

5

3.2

3.2

WAK (25–100 °C) (ppm/K)

2.9

2.9

2.7

2.9

3

4.4

3

4.8

3.2

3.1

导热系数 (W/m·K)

170

180

190

255

150

200

210

52

177

185

比热(J/kg·K)

680

670

660

670

680

700

670

890

686

674

比刚度 (E/ρ)

119

127

131

-

112

109

125

156

117

122

热稳定性 (k/α)

59

62

70

-

50

45

70

11

55

60