材料
反应烧结碳化硅
我们提供几乎任何尺寸或形状的 RB-SiC 组件，并可根据需求进行定制，包括高平整度、大渗透深度和内部冷却通道。
RB-SiC 具有独特的物理特性组合（耐高温、低热膨胀系数、化学惰性、高强度及优异的强度重量比），适用于高压电子设备、半导体设备等应用领域。
反应烧结碳化硅的特性
从一系列针对各种机械、热和电气特性进行了优化的 RB-SiC 衬底材料中进行选择。
特性 |
SSC-702 |
SSC-802 |
SSC-902 |
SSC-HTC |
SSC-FG （细粒 SiSiC） |
HSC-702 (硅/碳化硅+铝) |
TSC-15 (硅/碳化硅 + 钛) |
RBBC-751 (B4C/SiC/Si) |
西卡姆700 |
SiCAM 800 |
SiC 含量（体积百分比） |
70 |
80 |
90 |
78 |
70 |
70 |
80 |
70B4C 10SiC |
70 |
80 |
硅含量（体积百分比） |
30 |
20 |
10 |
22 |
30 |
30 |
20 |
20 |
30 |
20 |
堆积密度 (g/cc) [p] |
2.95 |
3.00 |
3.12 |
3.02 |
2.94 |
3.01 |
3.13 |
2.56 |
2.95 |
3.00 |
杨氏模量 (GPa) [E] |
350 |
380 |
410 |
373 |
330 |
330 |
390 |
400 |
345 |
365 |
泊松比 |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.2 |
0.18 |
0.19 |
0.19 |
0.18 |
0.185 |
0.185 |
抗弯强度 (MPa) |
270 |
280 |
280 |
265 |
350 |
275 |
225 |
280 |
280 |
290 |
断裂韧性 (MPa·m¹/²) |
4 |
4 |
4 |
3.5 |
4 |
5 |
5 |
5 |
3.2 |
3.2 |
CTE（25-100°C）（ppm/K） |
2.9 |
2.9 |
2.7 |
2.9 |
3 |
4.4 |
3 |
4.8 |
3.2 |
3.1 |
热导率(W/mK) |
170 |
180 |
190 |
255 |
150 |
200 |
210 |
52 |
177 |
185 |
比热 (J/kg·K) |
680 |
670 |
660 |
670 |
680 |
700 |
670 |
890 |
686 |
674 |
比刚度 (E/ρ) |
119 |
127 |
131 |
- |
112 |
109 |
125 |
156 |
117 |
122 |
热稳定性 (k/α) |
59 |
62 |
70 |
- |
50 |
45 |
70 |
11 |
55 |
60 |
