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在直径达 200 毫米的高质量碳化硅（SiC）晶圆上制造各种高性能电力电子器件。
生产MOSFET、IGBT及其他器件，这些器件可用于电动汽车、混合动力汽车以及航空航天领域中的高温、高频电力电子设备。
高意 绝缘碳化硅（SiC）衬底，扩大GaN-on-SiC射频功率放大器及其他射频和微波器件的生产规模。
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