材料
反应结合碳化硅
我们可根据需求定制几乎任何尺寸或形状的RB-SiC部件，包括高平整度、深渗透深度以及内部冷却通道等特性。
RB-SiC 专为高压电子设备、半导体工具等应用领域设计，其物理特性具有独特的组合，包括高耐热性、低热膨胀系数、化学惰性、高强度以及优异的强度重量比。
反应结合碳化硅特性
从多种针对不同机械、热学和电学特性进行优化的RB-SiC基板材料中进行选择。
属性 |
SSC-702 |
SSC-802 |
SSC-902 |
SSC-HTC |
SSC-FG (细粒 SiSiC) |
HSC-702 (硅/碳化硅+铝) |
TSC-15 (硅/碳化硅 + 钛) |
RBBC-751 (B4C/SiC/Si) |
西卡姆700 |
SiCAM 800 |
碳化硅含量（体积百分比） |
70 |
80 |
90 |
78 |
70 |
70 |
80 |
70B4C 10SiC |
70 |
80 |
硅含量（体积百分比） |
30 |
20 |
10 |
22 |
30 |
30 |
20 |
20 |
30 |
20 |
堆积密度（g/cm³） |
2.95 |
3.00 |
3.12 |
3.02 |
2.94 |
3.01 |
3.13 |
2.56 |
2.95 |
3.00 |
英律（GPa） [E] |
350 |
380 |
410 |
373 |
330 |
330 |
390 |
400 |
345 |
365 |
泊松比 |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.2 |
0.18 |
0.19 |
0.19 |
0.18 |
0.185 |
0.185 |
弯曲强度（MPa） |
270 |
280 |
280 |
265 |
350 |
275 |
225 |
280 |
280 |
290 |
破坏强度（MPa-m¹/²） |
4 |
4 |
4 |
3.5 |
4 |
5 |
5 |
5 |
3.2 |
3.2 |
CTE（25~100°C）（ppm/K） |
2.9 |
2.9 |
2.7 |
2.9 |
3 |
4.4 |
3 |
4.8 |
3.2 |
3.1 |
导热系数 (W/mK) |
170 |
180 |
190 |
255 |
150 |
200 |
210 |
52 |
177 |
185 |
热值（J/kg·K） |
680 |
670 |
660 |
670 |
680 |
700 |
670 |
890 |
686 |
674 |
非线性系数 (E/ρ) |
119 |
127 |
131 |
- |
112 |
109 |
125 |
156 |
117 |
122 |
温度稳定性(k/α) |
59 |
62 |
70 |
- |
50 |
45 |
70 |
11 |
55 |
60 |
