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边缘发光型显示器光电二极管（EMPD）芯片
这些自密封型器件可用于1270～1620 nm波长范围内的通道监测，其在1310 nm处的标准响应度为0.8 A/W。
このコンパクトな端面照射型InGaAsモニターフォトダイオードチップは、公称アクティブエリア210 μm x 210 μm、動作温度範囲-40°C～90°Cを特徴としています。これにより、トランシーバー、トランスポンダー、その他デバイスへの統合が容易になります。
边缘发光型显示器光电二极管（EMPD）芯片
これらのGR-468規格準拠チップを非密閉型パッケージで使用することで、高い信頼性と極めて低い暗電流を備えた高性能通信コンポーネントを製作できます。
主要功能
広いアクティブエリア - 公称210 μm x 210 μm
動作温度-40°C～+90°C
非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠
極めて低い暗電流と高い信頼性
1310 nmで0.8 A/Wの標準応答性で1270～1620 nmに応答
RoHS適合
