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边缘照明监测光电二极管 (EMPD) 芯片
使用这些自密封器件可在 1270 nm 至 1620 nm 波长范围内的任意位置进行通道监测，其在 1310 nm 波长处的典型响应率为 0.8 A/W。
这些紧凑型边缘照明 InGaAs 监测光电二极管芯片的标称有效面积为 210 μm × 210 μm，工作温度范围为 -40 °C 至 90 °C。这简化了其在收发器、应答器及其他设备中的集成。
边缘照明监测光电二极管 (EMPD) 芯片
利用这些采用非密封封装的 GR-468 合格芯片，可制造出具有高可靠性和极低暗电流的高性能通信组件。
关键特性
有效面积大 - 标称 210 μm × 210 μm
工作温度 -40 °C 至 90 °C
符合 GR-468 标准，适用于非密封封装
极低的暗电流，可靠性高
对 1270 nm 至 1620 nm 的响应，1310 nm 波长的典型响应率为 0.8 A/W
符合 RoHS 标准
