网络技术
边缘发光型显示器光电二极管（EMPD）芯片
请使用这些自密封式设备，可在 1270-1620 nm 波长范围内进行通道监测，其在 1310 nm 处的典型灵敏度为 0.8 A/W。
Diese kompakten, kantenbeleuchteten InGaAs-Monitor-Fotodiodenchips verfügen über eine nominelle aktive Fläche von 210 μm x 210 μm und einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 90 °C. Dies vereinfacht ihre Integration in Transceiver, Transponder und andere Geräte.
边缘发光型显示器光电二极管（EMPD）芯片
Verwenden Sie diese GR-468-qualifizierten Chips in nicht hermetischen Gehäusen, um leistungsstarke Kommunikationskomponenten mit hoher Zuverlässigkeit und extrem niedrigem Dunkelstrom zu erstellen.
主要特点
Große aktive Fläche – nominell 210 μm x 210 μm
Betriebstemperatur: -40 °C bis +90 °C
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Extrem niedriger Dunkelstrom bei hoher Zuverlässigkeit
Reaktion auf 1270–1620 nm mit typischer Reaktionsfähigkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm
Entspricht RoHS
